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SPP15P10PGHKSA1
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SPP15P10PGHKSA1 数据手册 (10 页)
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SPP15P10PGHKSA1 技术参数、封装参数

SPP15P10PGHKSA1 外形尺寸、物理参数、其它

SPP15P10PGHKSA1 数据手册

Infineon(英飞凌)
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SPP15P10 数据手册

Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP15P10PL H  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
INFINEON  SPP15P10PLHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon(英飞凌)
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表) · 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon(英飞凌)
SIPMOS ?小信号三极管特性的p沟道增强模式 SIPMOS® Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
Infineon(英飞凌)
P沟道 100V 15A
Infineon(英飞凌)
100V,-15A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
Infineon(英飞凌)
100V,200mΩ,-15A,P沟道功率MOSFET
Infineon(英飞凌)
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