| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 封装 | TO-220-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 200 mΩ |
| 功耗 | 128 W |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 29 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 10 mm |
| 宽度 | 4.4 mm |
| 高度 | 15.65 mm |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPP15P10PL H 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPP15P10PLHXKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -100 V, 0.14 ohm, -10 V, -1.5 V
Infineon（英飞凌）
Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Infineon（英飞凌）
SIPMOS ？小信号三极管特性的p沟道增强模式 SIPMOS® Small-Signal-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
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100V,200mΩ,-15A,P沟道功率MOSFET
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