| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | -60.0 V |
| 额定电流 | -18.6 A |
| 封装 | TO-220-3 |
| 额定功率 | 81.1 W |
| 极性 | P-Channel |
| 功耗 | 81100 mW |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 18.6 A |
| 上升时间 | 5.8 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 860pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 81.1 W |
| 下降时间 | 11 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | 55 ℃ |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPP18P06PHXKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V
Infineon（英飞凌）
SIPMOS ？功率晶体管特点P沟道增强模式 SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPP18P06P H 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V
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SIPMOS ？功率晶体管特点P沟道增强模式 SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
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