类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 20.7 A |
封装 | TO-220-3 |
通道数 | 1 Channel |
极性 | N-Channel |
功耗 | 208 W |
输入电容 | 2.40 nF |
栅电荷 | 124 nC |
漏源极电压(Vds) | 650 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.7 A |
上升时间 | 15 ns |
输入电容值(Ciss) | 2400pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 208 W |
下降时间 | 6.4 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
耗散功率(Max) | 208 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tube |
长度 | 10.36 mm |
宽度 | 4.4 mm |
高度 | 9.45 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET
Infineon(英飞凌)
12 页 / 0.62 MByte
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