| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 800 mA |
| 封装 | TO-251 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 5.6 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 11 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 100 pF |
| 栅电荷 | 5.00 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 600 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 800 mA |
| 上升时间 | 25 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 100pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 30 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 11000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 6.73 mm |
| 宽度 | 6.22 mm |
| 高度 | 2.41 mm |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
Infineon（英飞凌）
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Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU01N60C3BKMA1, 800mA, Vds=650 V, 3引脚 IPAK (TO-251)封装
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