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SPU04N60C3
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SPU04N60C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:Infineon（英飞凌）
分类:MOS管
封装:TO-251-3
描述:INFINEON  SPU04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SPU04N60C3 数据手册 (13 页)
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SPU04N60C3 数据手册 (13 页)
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SPU04N60C3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Through Hole
引脚数3 Pin
额定电压(DC)650 V
额定电流4.50 A
封装TO-251-3
通道数1 Channel
针脚数3 Position
漏源极电阻0.85 Ω
极性N-Channel
功耗50 W
阈值电压3 V
输入电容490 pF
栅电荷25.0 nC
漏源极电压(Vds)650 V
连续漏极电流(Ids)4.50 A
上升时间2.5 ns
输入电容值(Ciss)490pF @25V(Vds)
额定功率(Max)50 W
下降时间9.5 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)50W (Tc)
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SPU04N60C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended
包装方式Tube
宽度6.22 mm
工作温度-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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SPU04N60C3 数据手册

SPU04N60C3 数据手册
Infineon（英飞凌）
13 页 / 0.82 MByte

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INFINEON  SPU04N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 V
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