| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 20.7 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.19 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 35 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 2.40 nF |
| 栅电荷 | 124 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.7 A |
| 上升时间 | 15 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 2400pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 6.4 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 208W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not For New Designs |
| 包装方式 | Tube |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
通孔 N 通道 20.7A（Tc） 208W（Tc） PG-TO247-3
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPW20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPW20N60S5. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPW20N60C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPW20N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
Infineon（英飞凌）
INFINEON SPW20N60CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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