类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Through Hole |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 650 V |
额定电流 | 20.0 A |
封装 | TO-247-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.19 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 208 W |
阈值电压 | 4.5 V |
输入电容 | 3.00 nF |
栅电荷 | 103 nC |
漏源极电压(Vds) | 600 V |
连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
上升时间 | 25 ns |
输入电容值(Ciss) | 3000pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 208 W |
下降时间 | 30 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 208 W |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Not Recommended for New Design |
包装方式 | Tube |
长度 | 15.9 mm |
宽度 | 5.3 mm |
高度 | 20.95 mm |
工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
Infineon CoolMOS™S5 功率 MOSFET 系列
●### MOSFET 晶体管,Infineon
●Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
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INFINEON SPW20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPW20N60S5. 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 4.5 V
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INFINEON SPW20N60C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPW20N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON SPW20N60CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS⑩ Power Transistor
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