| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 650 V |
| 额定电流 | 20.0 A |
| 封装 | TO-247 |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 208 W |
| 输入电容 | 3.00 nF |
| 栅电荷 | 103 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 650 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 20.0 A |
| 上升时间 | 25.0 ns |
Infineon（英飞凌）
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Infineon（英飞凌）
INFINEON SPW20N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.7 A, 650 V, 190 mohm, 10 V, 3 V
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INFINEON SPW20N60CFD 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
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INFINEON SPW20N60CFDFKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.3 A, 600 V, 0.19 ohm, 10 V, 4 V
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5FKSA1, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
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