| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 560 V |
| 额定电流 | 52.0 A |
| 封装 | TO-247-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.06 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 417 W |
| 阈值电压 | 3 V |
| 输入电容 | 6.80 nF |
| 栅电荷 | 290 nC |
| 漏源极电压(Vds) | 560 V |
| 漏源击穿电压 | 500 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 52.0 A |
| 上升时间 | 30 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 6800pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 417 W |
| 下降时间 | 10 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 工作结温(Max) | 150 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 417W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Obsolete |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 16.13 mm |
| 宽度 | 5.21 mm |
| 高度 | 21.1 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
Infineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
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INFINEON SPW52N50C3 晶体管, MOSFET, CoolMOS, N沟道, 52 A, 500 V, 0.06 ohm, 10 V, 3 V
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单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
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的CoolMOS ™功率晶体管 CoolMOS? Power Transistor
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