| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-226-3 |
| 功耗 | 0.625 W |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 20 V |
| 最小电流放大倍数 | 112 @50mA, 1V |
| 额定功率(Max) | 625 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 625 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 材质 | Silicon |
| 长度 | 4.58 mm |
| 宽度 | 3.86 mm |
| 高度 | 4.58 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
小信号 PNP 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor
ON Semiconductor（安森美）
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PNP 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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单晶体管 双极, PNP, -20 V, 625 mW, -500 mA, 144 hFE
Fairchild（飞兆/仙童）
PNP 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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