| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | P-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 20 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 1.8A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 8V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.8A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.125Ω @-800mA,-4V 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -0.3V-1.0V 耗散功率PdPower Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| High Speed Switching Applications • 1.8V drive • Low on-resistance: Ron = 363mΩ (max) (@VGS = −1.8 V) Ron = 230mΩ (max) (@VGS = −2.5 V) Ron = 158mΩ (max) (@VGS = −4.0 V) 描述与应用| 高速开关应用 •1.8V驱动 •低导通电阻RON =363mΩ（最大）（@ VGS=-1.8 V） 罗恩=230mΩ（最大）（@ VGS= -2.5 V） RON =158mΩ（最大）（@ VGS=-4.0 V）
Toshiba（东芝）
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SSM3J108TU P沟道MOS场效应管 -20V -1.8A 0.125ohm SOT-323 marking/标记 JJ1 高速开关 1.8V驱动 低导通电阻
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