| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | CST-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 漏源极电阻 | 14 Ω |
| 功耗 | 100 mW |
| 阈值电压 | 1.7 V |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| 输入电容值(Ciss) | 9.1pF @3V(Vds) |
| 耗散功率(Max) | 100mW (Ta) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 1 mm |
| 宽度 | 0.6 mm |
| 高度 | 0.38 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
SSM3J15FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
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SSM3J15FS P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
SSM3J15F P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-23 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
SSM3J15TE P沟道MOS场效应管 -20V -100mA/0.1A 6ohm SOT-523 marking/标记 DQ 高速开关 模拟开关 低导通电阻
Toshiba（东芝）
TOSHIBA SSM3J15TE(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, P沟道, 100 mA, -30 V, 12 ohm, -4 V, -1.7 V
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