类型 | 描述 |
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封装 | TESM |
极性 | P-CH |
漏源极电压(Vds) | 20 V |
连续漏极电流(Ids) | 0.1A |
Toshiba(东芝)
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Toshiba(东芝)
TOSHIBA SSM3J16FS(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, P沟道, 100 mA, -20 V, 8 ohm, -4 V, 1.1 V
Toshiba(东芝)
SSM3J16FV P沟道MOS场效应管 -30V -100mA/0.1A 8ohm SOT-523 marking/标记 DT 高速开关 模拟开关 低导通电阻
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