| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | UFM-3 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2.2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 长度 | 2 mm |
| 宽度 | 1.7 mm |
| 高度 | 0.7 mm |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 2.2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.1Ω/Ohm @500mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications • 2.5V drive • Low on-resistance: Ron = 135mΩ (max) (@VGS = 2.5 V) Ron = 100mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 •2.5V驱动 •低导通电阻RON =135mΩ（最大）
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
SSM3K116TU N沟道MOSFET 30V 2.2A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KK9
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