| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-323 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 2A |
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 12V 最大漏极电流Id Drain Current| 2A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.123Ω/Ohm 21A,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 800mW/0.8W Description & Applications| TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications Power Management Switch Applications High-Speed Switching Applications 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 电源管理开关应用 高速开关应用 电源管理开关应用 高速开关应用
Toshiba（东芝）
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SSM3K127TU N沟道MOSFET 30V 2A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 KKH
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