最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 2.3Ω/Ohm 10A,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.8-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 100mW/0.1W Description & Applications | Load Switching Applications • 2.5 V drive • Low ON-resistance: RDS(ON) = 3.6 Ω (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON) = 6.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) 描述与应用 | 负载开关应用 •2.5 V驱动器 •低导通电阻RDS（ON）=3.6Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RDS（ON）=6.0（最大值）（@ VGS=2.5 V）
Toshiba（东芝）
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高速开关应用模拟开关应用•最适用于高密度安装在小包装•低导通电阻：RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V）RON =7.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V）
Toshiba（东芝）
SSM3K15AMFV N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-723/VESM marking/标记 DI
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SSM3K15FU N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DP 高速开关
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