最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 1.5Ω/Ohm @10A,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.6-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Suitable for high-density mounting due to compact package • Low ON-resistance : Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 2.5V) : Ron = 15 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •适用于高密度安装由于紧凑的封装 •低导通电阻：RON =3.0Ω（最大值）（@ VGS=4 V） RON =4.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V）罗恩=15Ω（最大）（@ VGS=1.5 V）
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TOSHIBA SSM3K16FU(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 20 V, 3 ohm, 4 V, 1.1 V
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SSM3K16FU N沟道MOSFET 20V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/USM marking/标记 DS ESD保护
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