最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 500mA/0.5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.66Ω/Ohm @200mA,4.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.35-1.0V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| High-Speed Switching Applications • 1.5-V drive • Low ON-resistance : Ron = 1.52 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) Ron = 0.85 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) :Ron = 0.66 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) Ron = 0.63 Ω (max) (@VGS = 5.0 V) 描述与应用| 高速开关应用 •1.5-V驱动器 •低导通电阻：罗恩= 1.52Ω（最大值）（@ VGS= 1.5 V） 罗恩= 1.14Ω（最大）（@ VGS=1.8 V） 罗恩= 0.85Ω（最大）（@ VGS= 2.5 V） 罗恩= 0.66Ω（最大）（@ VGS=4.5 V） 罗恩= 0.63Ω（最大值）（@ VGS= 5.0 V）
Toshiba（东芝）
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表面贴装型-N-通道-100V-3.5A（Ta）-1.2W（Ta）-SOT-23F
Toshiba（东芝）
SSM3K36MFV N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-723/VESM marking/标记 NX
Toshiba（东芝）
SSM3K36FS N沟道MOSFET 20V 500mA/0.5A SOT-523/SSM marking/标记 NX
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