最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 2.2Ω @-10mA,-4V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| High Speed Switching Applications Analog Switching Applications • Compact package suitable for high-density mounting • Low ON-resistance : RDS(ON) = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) RDS(ON)= 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V) 描述与应用| 高速开关应用 模拟开关应用 •紧凑型封装,适用于高密度安装 •低导通电阻RDS(ON)= 4.0Ω(最大值)(@ VGS=4 V) RDS(ON)=7.0Ω(最大值)(@ VGS=2.5 V)
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SSM3K44MFV N沟道场效应管 30V 0.1A VESM 代码 NT 高速开关 模拟开关 低导通电阻
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