SSM6J402TU 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 225mΩ@ VGS = -4V, ID = -500mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.2~-2.6V 耗散功率PdPower Dissipation| 500mW/0.5W Description & Applications| TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type ○ DC/DC Converter Application ○ High-Speed Switching Applications • 4.0 V drive • Low ON-resistance : RDS(ON) = 225mΩ max (@VGS = −4 V) : RDS(ON) = 117mΩ max (@VGS = −10 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅P沟道MOS类型 ○DC/ DC转换器应用 ○高速开关应用 •4.0 V驱动器 •低导通电阻RDS（ON）=225mΩ最大（@ VGS=-4 V） RDS（ON）=117mΩ最大（@ VGS=-10 V）