| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 7V 最大漏极电流IdDrain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 20Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 0.9~1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications Analog Switch Applications
●Suitable for high-density mounting due to compact package
●High drain-source voltage
●High speed switching 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 模拟开关应用
●适用于高密度安装由于紧凑的封装
●高的漏源电压
●高速开关
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
TOSHIBA SSM6N17FU(TE85L,F) 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 50 V, 20 ohm, 4 V, 1.5 V
Toshiba（东芝）
SSM6N17FU 复合场效应管 50V 100mA/0.1A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 DM 高速开关
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