类型 | 描述 |
---|
封装 | UDFN6B |
极性 | N-CH |
漏源极电压(Vds) | 30 V |
连续漏极电流(Ids) | 4A |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 4A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 46mΩ@ VGS = 10V, ID = 4000mA 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 1.3~2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 1W Description & Applications| MOSFETs Silicon N-Channel MOS •Applications • Power Management Switches • DC-DC Converters 2. Features (1) 4.5V gate drive voltage. (2) Low drain-source on-resistance RDS(ON) = 46 mΩ (max) (@VGS = 10 V) RDS(ON) = 64 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) 描述与应用| MOSFET的硅N沟道MOS •应用程序 •电源管理开关 •DC-DC转换器 2。特点 (1)4.5V栅极驱动电压。 (2)低漏源导通电阻 RDS(ON)= 46MΩ(最大)(@ VGS=10 V) RDS(ON)=64毫欧(最大值)(@ VGS=4.5 V)
Toshiba(东芝)
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Toshiba(东芝)
SSM6N55NU 复合场效应管 30V 4A UDFN6B marking/标记 NN5 电源管理开关 DC/DC转换
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