| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 封装 | SOT-363 |
| 极性 | N-CH |
| 漏源极电压(Vds) | 60 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 0.2A |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Not Recommended |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| 200mA/0.2A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 3Ω@ VGS = 10V, ID = 500mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| 1.0~2.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type •High Speed Switching Applications •Analog Switch Applications • Small package • Low ON resistance : Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 3.2 Ω (max) (@VGS = 5 V) : Ron = 3.0 Ω (max) (@VGS = 10 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 •高速开关应用 •模拟开关应用 •小型封装 •低导通电阻RON =3.3Ω（最大值）（@ VGS= 4.5 V） RON=3.2Ω（最大）（@ VGS= 5 V） ：RON =3.0Ω（最大值）（@ VGS= 10 V）
Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
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Toshiba（东芝）
SSM6N7002FU 复合场效应管 60V 200mA/0.2A SOT-363/SC70-6/UF6 marking/标记 NC 高速开关
Toshiba（东芝）
TOSHIBA SSM6N7002FU(TE85LF 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 3 ohm, 10 V, 2.5 V
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