SSM6P15FE 数据手册 - Toshiba（东芝）

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流IdDrain Current| -100mA/-0.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 12Ω@ VGS = -4V, ID = -10mA 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage| -1.1~-1.7V 耗散功率PdPower Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

●High Speed Switching Applications

●Analog Switch Applications

● Small package

● Low ON resistance : Ron = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V) : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) 描述与应用| 东芝场效应晶体管硅P沟道MOS类型

●高速开关应用

●模拟开关应用

●小型封装

●低导通电阻RON =12Ω（最大）（@ VGS=-4 V）    RON=32Ω（最大）（@ VGS=-2.5 V）