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SSN1N45BTA
来自 AiPCBA

SSN1N45BTA 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:ON Semiconductor（安森美）
封装:TO-226-3
描述:晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
PDF文件:SSN1N45BTA 数据手册 (8 页)封装尺寸在7 页
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SSN1N45BTA 数据手册 (8 页)
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SSN1N45BTA 技术参数、封装参数

类型描述
引脚数3 Pin
封装TO-226-3
针脚数3 Position
漏源极电阻3.4 Ω
功耗0.9 W
阈值电压3 V
漏源极电压(Vds)450 V
上升时间21 ns
输入电容值(Ciss)185pF @25V(Vds)
额定功率(Max)900 mW
下降时间36 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)900 mW
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SSN1N45BTA 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
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SSN1N45BTA 数据手册

SSN1N45BTA 数据手册
ON Semiconductor（安森美）
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SSN1N45BTA 其他数据使用手册
ON Semiconductor（安森美）
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SSN1N45 数据手册

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ON Semiconductor（安森美）
晶体管, MOSFET, B-FET, N沟道, 500 mA, 450 V, 3.4 ohm, 10 V, 3 V
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