| 类型 | 描述 |
|---|
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-236 |
| 功耗 | 350 mW |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 350 mW |
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 35v \---|--- 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage| -35v 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current| 2ma 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage| -3v 耗散功率PdPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| •N–Channel JFETs •Low On-Resistance: J108 <8 •Fast Switching—tON: 4 ns •Low Leakage: 20 pA •Low Capacitance: 11 pF •Low Insertion Loss 描述与应用| •N沟道JFETs •低导通电阻：J108<8 •快速开关吨：4纳秒 •低漏电流：20 pA的 •低电容：11 pF的 •低插入损耗
VISHAY（威世）
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