| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.6A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 75V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W Description & Applications| Features •NPN Medium Power Transistor (Switching) •BVCEO > 40V (IC = 1mA) •Complements the UMT2907A / SST2907A/ MMST2907A / PN2907A 描述与应用| 特点 •NPN中等功率晶体管（开关） •BVCEO>40V（IC=1MA） •补充UMT2907A的/ SST2907A的/ MMST2907A/ PN2907A
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
ROHM SST2222AT116 单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 150 mA, 100 hFE
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 200 mW, 600 mA, 40 hFE
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National Semiconductor（美国国家半导体）
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