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SST2907AHZGT116
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SST2907AHZGT116 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
封装:SOT-23-3
描述:单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 75 hFE
PDF文件:SST2907AHZGT116 数据手册 (6 页)
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SST2907AHZGT116 数据手册 (6 页)
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SST2907AHZGT116 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装SOT-23-3
额定功率0.35 W
针脚数3 Position
极性PNP
功耗350 mW
击穿电压(集电极-发射极)60 V
最小电流放大倍数100 @150mA, 10V
最大电流放大倍数300
额定功率(Max)200 mW
直流电流增益(hFE)75
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)350 mW
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SST2907AHZGT116 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度150℃ (TJ)
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SST2907AHZGT116 数据手册

SST2907AHZGT116 数据手册
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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7 页 / 0.7 MByte

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单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 350 mW, -600 mA, 75 hFE
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