| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.2A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V
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●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V
●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 200mA/0.2A
●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz
●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300
●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 300mV/0.3V
●耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W
●Description & Applications| Features •NPN General Purpose Transistor •BVCEO > 40V (IC = 1mA) •Complements the UMT3906 / SST3906 / MMST3906 / 2N3906.
●描述与应用| 特点 •NPN通用晶体管 •BVCEO>40V（IC=1MA） 补充UMT3906/ SST3906/ MMST3906/2N3906。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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