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SST39SF040-55-4C-NHE-T 数据手册 (2 页)
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SST39SF040-55-4C-NHE-T 技术参数、封装参数

SST39SF040-55-4C-NHE-T 外形尺寸、物理参数、其它

SST39SF040-55-4C-NHE-T 数据手册

Microchip(微芯)
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SST39SF040554 数据手册

Microchip(微芯)
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,Microchip
Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
Microchip(微芯)
NOR闪存 4.5V to 5.5V 4Mbit Multi-Purpose Flash
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