SST39SF040-55-4C-WHE 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:	Microchip（微芯）
分类:	存储芯片
封装:	TSOP-32
描述:	1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
PDF文件:	SST39SF040-55-4C-WHE 数据手册 (2 页)原理图在2 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

SST39SF040-55-4C-WHE 数据手册 (2 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SST39SF040-55-4C-WHE 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
引脚数	32 Pin
封装	TSOP-32
位数	8 Bit
存取时间	55 ns
存取时间(Max)	55 ns
工作温度(Max)	70 ℃
工作温度(Min)	0 ℃
电源电压	4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max)	5.5 V
电源电压(Min)	4.5 V

查看数据手册 >

SST39SF040-55-4C-WHE 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tray
工作温度	0℃ ~ 70℃

查看数据手册 >

SST39SF040-55-4C-WHE 符合标准

SST39SF040-55-4C-WHE 概述

SST39SF040-55-4C-WHE 数据手册

Microchip（微芯）

2 页 / 0.14 MByte

SST39SF040-55-4C-WHE 其他数据使用手册

Microchip（微芯）

2 页 / 0.01 MByte

SST39SF040554 数据手册

SST39SF040-55-4I-NHE 数据手册

Microchip（微芯）

SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作寿命 - 100,000 次循环（典型）低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值）扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型）字节编程时间 - 14 μs（典型）芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值）锁存地址和数据自动写入计时 - 内部 VPP 生成写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip

SST39SF040-55-4I-WHE 数据手册

Microchip（微芯）

1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

SST39SF040-55-4I-NHE-T 数据手册

Microchip（微芯）

SST39SF040-55-4C-NHE 数据手册

Microchip（微芯）

1兆位/ 2兆位/ 4兆位（ X8 ）多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash

SST39SF040-55-4C-NHE-T 数据手册

Microchip（微芯）

SST39SF040-55-4C-WHE 数据手册

Microchip（微芯）