类型 | 描述 |
---|
安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 32 Pin |
封装 | TSOP-32 |
位数 | 8 Bit |
存取时间 | 55 ns |
存取时间(Max) | 55 ns |
工作温度(Max) | 70 ℃ |
工作温度(Min) | 0 ℃ |
电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
电源电压(Max) | 5.5 V |
电源电压(Min) | 4.5 V |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 0℃ ~ 70℃ (TA) |
闪存 存储器 IC 4Mb(512K x 8) 并联 55 ns 32-TSOP
Microchip(微芯)
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SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环(典型) 低功耗 - 有源电流 10 mA,待机电流 30 μA(14 MHz 时的典型值) 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间:70 ms(典型) 字节编程时间 - 14 μs(典型) 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒(典型值) 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存,Microchip
Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
Microchip(微芯)
1兆位/ 2兆位/ 4兆位( X8 )多用途闪存 1 Mbit / 2 Mbit / 4 Mbit (x8) Multi-Purpose Flash
Microchip(微芯)
NOR闪存 4.5V to 5.5V 4Mbit Multi-Purpose Flash
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