| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Through Hole |
| 引脚数 | 32 Pin |
| 电源电压 | 4.50V (min) |
| 工作电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| 封装 | PDIP-32 |
| 供电电流 | 25 mA |
| 位数 | 8 Bit |
| 存取时间 | 70 ns |
| 内存容量 | 500000 B |
| 存取时间(Max) | 70 ns |
| 工作温度(Max) | 70 ℃ |
| 工作温度(Min) | 0 ℃ |
| 电源电压 | 4.5V ~ 5.5V |
| 电源电压(Max) | 5.5 V |
| 电源电压(Min) | 4.5 V |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tube |
| 长度 | 42.04 mm |
| 宽度 | 13.97 mm |
| 高度 | 3.81 mm |
| 工作温度 | 0℃ ~ 70℃ |
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器
●Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。
●### 特点
●4.5-5.5V 读写操作
●寿命 - 100,000 次循环（典型）
●低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值）
●扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区
●读取访问时间 - 55 至 70 ns
●扇区擦除时间 18 ms
●芯片擦除时间：70 ms（典型）
●字节编程时间 - 14 μs（典型）
●芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值）
●锁存地址和数据
●自动写入计时 - 内部 VPP 生成
●写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询
●TTL 输入/输出兼容性
●JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件
●### 闪存，Microchip
Microchip（微芯）
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Microchip（微芯）
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Microchip（微芯）
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Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39SF040-70-4C-NHE 闪存, 4 Mbit, 512K x 8位, 14 MHz, 并行, LCC, 32 引脚
Microchip（微芯）
SST39SF010A/020A/040 并行 SuperFlash® 存储器Microchip 的 SST39SF010A/020A/040 系列设备为并行多用途 SuperFlash® 存储集成电路。### 特点4.5-5.5V 读写操作 寿命 - 100,000 次循环（典型） 低功耗 - 有源电流 10 mA，待机电流 30 μA（14 MHz 时的典型值） 扇区擦除能力 - 均匀 4 K 扇区 读取访问时间 - 55 至 70 ns 扇区擦除时间 18 ms 芯片擦除时间：70 ms（典型） 字节编程时间 - 14 μs（典型） 芯片重写时间 – SST39SF010A 2 秒、SST39SF020A 4 秒、SST39SF040 8 秒（典型值） 锁存地址和数据 自动写入计时 - 内部 VPP 生成 写入结束检测 - 触发位 - 数据# 轮询 TTL 输入/输出兼容性 JEDEC 标准 - 闪存 EEPROM 引脚输出和命令套件 ### 闪存，Microchip
Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39SF040-70-4I-NHE 闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, LCC, 32 引脚
Microchip（微芯）
SST39SF 系列 4 Mb 512 K x 8 5 V 多用途 闪存 - TSOP-32
Microchip（微芯）
MICROCHIP SST39SF040-70-4I-WHE 闪存, 或非, 4 Mbit, 512K x 8位, TSOP, 32 引脚
Microchip（微芯）
NOR闪存 4.5 to 5.5 4Mbit Multi-Purpose Flash
Silicon Strorage Technology
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