| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 40 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.6A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 最大电流放大倍数 | 300 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100~300 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features •NPN Medium Power Transistor •BVCEO > 40V (IC = 1mA) •Complements the UMT4403 / SST4403 / MMST4403/ PN4403. 描述与应用| 特点 •NPN中等功率晶体管 •BVCEO>40V（IC=1MA） •补充UMT4403/ SST4403/ MMST4403/ PN4403。
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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