| 类型 | 描述 |
|---|
| 封装 | SOT-23 |
| 极性 | NPN |
| 击穿电压(集电极-发射极) | 80 V |
| 集电极最大允许电流 | 0.5A |
| 最小电流放大倍数 | 100 |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 最小包装数量 | 3000 |
集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 80V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 100MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 100 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 250mV/0.25V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features •NPN General Purpose Transistor •BVCEO < 80V.( IC=1mA) •Complements the SSTA56 / MMSTA56 / MPSA56 描述与应用| 特点 •NPN通用晶体管 •BVCEO<80V（IC=1MA） •补充SSTA56/ MMSTA56，/ MPSA56
ROHM Semiconductor（罗姆半导体）
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