| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 100 Pin |
| 电源电压 | 5.00 V, 5.50 V (max) |
| 封装 | LQFP-100 |
| 时钟频率 | 24.0 MHz, 24.0 MHz (max) |
| RAM大小 | 4K x 8 |
| I/O引脚数 | 80 IO |
| 存取时间 | 24.0 µs |
| ADC数量 | 1 ADC |
| 工作温度(Max) | 105 ℃ |
| 工作温度(Min) | -40 ℃ |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Unknown |
| 包装方式 | Tray |
| 长度 | 20 mm |
| 宽度 | 14 mm |
| 高度 | 2.7 mm |
| 工作温度 | -40℃ ~ 105℃ (TA) |
ST9 series 微控制器 IC 8/16-位 24MHz 128KB（128K x 8） 闪存
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
8月16日- BIT单电压闪存单片机系列内存， E3 TMEMULATED EEPROM ， CAN 2.0B和J1850 BLPD 8/16-BIT SINGLE VOLTAGE FLASH MCU FAMILY WITH RAM, E3 TMEMULATED EEPROM, CAN 2.0B AND J1850 BLPD
ST Microelectronics（意法半导体）
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8月16日- BIT单电压闪存单片机系列内存， E3 TMEMULATED EEPROM ， CAN 2.0B和J1850 BLPD 8/16-BIT SINGLE VOLTAGE FLASH MCU FAMILY WITH RAM, E3 TMEMULATED EEPROM, CAN 2.0B AND J1850 BLPD
ST Microelectronics（意法半导体）
8月16日- BIT单电压闪存单片机系列内存， E3 ™（模拟EEPROM ） ， CAN 2.0B和J1850 BLPD 8/16-BIT SINGLE VOLTAGE FLASH MCU FAMILY WITH RAM, E3 TM(EMULATED EEPROM), CAN 2.0B AND J1850 BLPD
ST Microelectronics（意法半导体）
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8月16日- BIT单电压闪存单片机系列内存， E3 ™（模拟EEPROM ） ， CAN 2.0B和J1850 BLPD 8/16-BIT SINGLE VOLTAGE FLASH MCU FAMILY WITH RAM, E3 TM(EMULATED EEPROM), CAN 2.0B AND J1850 BLPD
ST Microelectronics（意法半导体）
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8月16日- BIT单电压闪存单片机系列内存， E3 TMEMULATED EEPROM ， CAN 2.0B和J1850 BLPD 8/16-BIT SINGLE VOLTAGE FLASH MCU FAMILY WITH RAM, E3 TMEMULATED EEPROM, CAN 2.0B AND J1850 BLPD
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8月16日- BIT单电压闪存单片机系列内存， E3 ™（模拟EEPROM ） ， CAN 2.0B和J1850 BLPD 8/16-BIT SINGLE VOLTAGE FLASH MCU FAMILY WITH RAM, E3 TM(EMULATED EEPROM), CAN 2.0B AND J1850 BLPD
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