| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 400 V |
| 额定电流 | 9.00 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.49 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 3.75 V |
| 漏源极电压(Vds) | 400 V |
| 漏源击穿电压 | 400 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 4.50 A |
| 上升时间 | 20 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 930pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 110 W |
| 下降时间 | 18 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB11NK40ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 490 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道400V - 0.49ohm - 9A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 400V - 0.49ohm - 9A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道400V - 0.49Ω - 9A TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-channel 400V - 0.49Ω - 9A TO-220 - TO-220FP - D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道400 V ， 0.49 Ω ， 9 A， TO- 220 ， TO- 220FP ， D2PAK齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET N-channel 400 V, 0.49 Ω, 9 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK Zener-protected SuperMESHTM Power MOSFET
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