| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 800 V |
| 额定电流 | 11.0 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 通道数 | 1 Channel |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.35 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 150 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 漏源击穿电压 | 800 V |
| 栅源击穿电压 | ±30.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 44.0 A |
| 上升时间 | 17 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 1630pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 150 W |
| 下降时间 | 15 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 150W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800 V - 0.35ヘ - 11 A - TO- 220 / FP- D2PAK - TO- 247 MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB11NM80T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道800 V - 0.35ヘ - 11 A - TO- 220 / FP- D2PAK - TO- 247 MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 800 V - 0.35 ヘ - 11 A - TO-220/FP- D2PAK - TO-247 MDmesh⑩ Power MOSFET
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