STB120NF10 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	D2PAK
描述:	N沟道100V - 0.009OHM - 110A - TO- 247 - TO- 220 - D2PAK STripFET2功率MOSFET N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET
PDF文件:	STB120NF10 数据手册 (11 页)原理图在1 页
Pictures:	3D模型符号图焊盘图引脚图产品图

STB120NF10 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

STB120NF10 技术参数、封装参数

类型	描述
封装	D2PAK
极性	N-CH
漏源极电压(Vds)	100 V
连续漏极电流(Ids)	110A

查看数据手册 >

STB120NF10 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Unknown

查看数据手册 >

STB120NF10 符合标准

STB120NF10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

11 页 / 0.28 MByte

STB120NF10 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.92 MByte

STB120 数据手册

STB120NF10T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V

STB120N4LF6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STB120N4LF6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 3100 µohm, 10 V, 1 V

STB120N4F6 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STB120N10F4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STB120NF10 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道100V - 0.009OHM - 110A - TO- 247 - TO- 220 - D2PAK STripFET2功率MOSFET N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET

STB12-0-0 数据手册

TE Connectivity（泰科）

STB120NH03LT4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道30V - 0.005 W¯¯ - 60A D2PAK的STripFET III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION

STB12-0-0 数据手册

Raychem

器件 Datasheet 文档搜索

数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号