| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 额定电压(DC) | 100 V |
| 额定电流 | 120 A |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.0105 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 312 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 输入电容 | 5200 pF |
| 漏源极电压(Vds) | 100 V |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| 栅源击穿电压 | ±20.0 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 110 A |
| 上升时间 | 90 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 5200pF @25V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 312 W |
| 下降时间 | 68 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 312000 mW |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.4 mm |
| 宽度 | 9.35 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 重量 | 0.013607772 kg |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
●### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道100V - 0.009OHM - 110A - TO- 247 - TO- 220 - D2PAK STripFET2功率MOSFET N-channel 100V - 0.009OHM - 110A - TO-247 - TO-220 - D2PAK STripFET2 Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V
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