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STB120NH03LT4
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STB120NH03LT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:D2PAK
描述:N沟道30V - 0.005 W¯¯ - 60A D2PAK的STripFET III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
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STB120NH03LT4 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
封装D2PAK
漏源极电阻10.5 mΩ
极性N-Channel
功耗115 W
漏源极电压(Vds)30 V
漏源击穿电压30.0 V
栅源击穿电压±20.0 V
连续漏极电流(Ids)9.00 A
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STB120NH03LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Unknown
包装方式Tape & Reel (TR)
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STB120NH03LT4 数据手册

STB120NH03LT4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STB120NH03 数据手册

STB120NH03LT4 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30V - 0.005 W¯¯ - 60A D2PAK的STripFET III功率MOSFET用于DC- DC转换器 N-CHANNEL 30V - 0.005 W - 60A D2PAK STripFET III POWER MOSFET FOR DC-DC CONVERSION
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