类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 500 V |
额定电流 | 11.0 A |
封装 | TO-263-3 |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 380 mΩ |
极性 | N-Channel |
功耗 | 100 W |
阈值电压 | 3 V |
漏源极电压(Vds) | 500 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
连续漏极电流(Ids) | 6.70 A, 11.0 A |
上升时间 | 15 ns |
输入电容值(Ciss) | 940pF @50V(Vds) |
额定功率(Max) | 100 W |
下降时间 | 14 ns |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -55 ℃ |
工作结温(Max) | 150 ℃ |
耗散功率(Max) | 100W (Tc) |
类型 | 描述 |
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产品生命周期 | Not Recommended for New Designs |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
工作温度 | 150℃ (TJ) |
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N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STB12NM50T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V , 0.29欧姆, 11A , FDmesh II功率MOSFET (具有快速二极管)的D2PAK , DPAK , TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STB12NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
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N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET,快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET (具有快速二极管) N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)
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