类型 | 描述 |
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安装方式 | Surface Mount |
引脚数 | 3 Pin |
额定电压(DC) | 550 V |
额定电流 | 12.0 A |
封装 | TO-263-3 |
通道数 | 1 Channel |
针脚数 | 3 Position |
漏源极电阻 | 0.3 Ω |
极性 | N-Channel |
功耗 | 160 W |
阈值电压 | 4 V |
输入电容 | 1.00 nF |
栅电荷 | 39.0 nC |
漏源极电压(Vds) | 550 V |
漏源击穿电压 | 500 V |
栅源击穿电压 | ±30.0 V |
连续漏极电流(Ids) | 12.0 A |
上升时间 | 10 ns |
输入电容值(Ciss) | 1000pF @25V(Vds) |
额定功率(Max) | 160 W |
工作温度(Max) | 150 ℃ |
工作温度(Min) | -65 ℃ |
耗散功率(Max) | 160W (Tc) |
类型 | 描述 |
---|
产品生命周期 | Active |
包装方式 | Tape & Reel (TR) |
长度 | 10.4 mm |
宽度 | 9.35 mm |
高度 | 4.6 mm |
工作温度 | -65℃ ~ 150℃ (TJ) |
表面贴装型 N 通道 550 V 12A(Tc) 160W(Tc) D2PAK
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N沟道550V @ TJMAX - 0.30ヘ - 12A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 550V @ tjmax - 0.30ヘ - 12A TO-220/FP/D2/I2PAK MDmesh⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STB12NM50T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 550 V, 0.3 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V , 0.29欧姆, 11A , FDmesh II功率MOSFET (具有快速二极管)的D2PAK , DPAK , TO- 220FP N-channel 500V, 0.29 OHM, 11A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in D2PAK, DPAK, TO-220FP
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS STB12NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 550 V, 380 mohm, 10 V, 3 V
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N-二CHANNEL500V - 0.32ohm - 12ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET,快速二极管 N-CHANNEL500V-0.32ohm-12ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET with FAST DIODE
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道500V - 0.32ヘ - 12A - TO- 220 / FP - D2 / I2PAK - TO- 247 FDmesh⑩功率MOSFET (具有快速二极管) N-channel 500V - 0.32ヘ - 12A - TO-220/FP - D2/I2PAK - TO-247 FDmesh⑩ Power MOSFET (with fast diode)
ST Microelectronics(意法半导体)
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