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STB130N6F7
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STB130N6F7 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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STB130N6F7 数据手册 (23 页)
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STB130N6F7 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
通道数1 Channel
漏源极电阻5 mΩ
功耗160 W
阈值电压2 V
输入电容2600 pF
漏源极电压(Vds)60 V
漏源击穿电压60 V
上升时间44 ns
输入电容值(Ciss)2600pF @25V(Vds)
下降时间24 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)160W (Tc)
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STB130N6F7 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Active
包装方式Tape & Reel (TR)
长度10.4 mm
宽度9.35 mm
高度4.6 mm
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB130N6F7 数据手册

STB130N6F7 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
23 页 / 1.62 MByte
STB130N6F7 产品封装文件
ST Microelectronics（意法半导体）
14 页 / 0.82 MByte

STB130N6 数据手册

STB130N6F7 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ F7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ F7 系列低电压 MOSFET 具有较低的设备通态电阻，降低了内部电容和栅极电荷，提供更快更高效的切换。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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