STB14NK50Z-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-262-3
描述:	N沟道500V - 0.34ohm - 14ATO -220 / FP / D2PAK / I2PAK / TO- 247齐纳保护SuperMESH⑩Power MOSFET N-CHANNEL 500V-0.34ohm-14ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET
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STB14NK50Z-1 数据手册 (19 页)

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STB14NK50Z-1 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Through Hole
封装	TO-262-3
功耗	150W (Tc)
漏源极电压(Vds)	500 V
输入电容值(Ciss)	2000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)	150 W
耗散功率(Max)	150W (Tc)

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STB14NK50Z-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Active
包装方式	Tube
工作温度	-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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