| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 漏源极电阻 | 0.0025 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 110 W |
| 阈值电压 | 2 V |
| 漏源极电压(Vds) | 30 V |
| 上升时间 | 90 ns |
| 输入电容值(Ciss) | 3650pF @25V(Vds) |
| 下降时间 | 20 ns |
| 工作温度(Max) | 175 ℃ |
| 工作温度(Min) | -55 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 110W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronics
●STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
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ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道30 V ， 2.4 MI © ， 80 A， DPAK ， DPAK STripFETVI DeepGATE功率MOSFET N-channel 30 V, 2.4 mΩ , 80 A, DPAK, DPAK STripFETVI DeepGATE Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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