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STB180N55F3
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STB180N55F3 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:ST Microelectronics（意法半导体）
分类:MOS管
封装:TO-263-3
描述:N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET™ Power MOSFET
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STB180N55F3 技术参数、封装参数

类型描述
安装方式Surface Mount
引脚数3 Pin
封装TO-263-3
极性N-Channel
功耗330 W
漏源极电压(Vds)55 V
上升时间150 ns
输入电容值(Ciss)6800pF @25V(Vds)
额定功率(Max)330 W
下降时间50 ns
工作温度(Max)175 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)330W (Tc)
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STB180N55F3 外形尺寸、物理参数、其它

类型描述
产品生命周期Not Recommended for New Designs
包装方式Tape & Reel (TR)
工作温度-55℃ ~ 175℃ (TJ)
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STB180N55F3 数据手册

STB180N55F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
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STB180N55 数据手册

STB180N55F3 数据手册
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET™ Power MOSFET
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