| 类型 | 描述 |
|---|
| 安装方式 | Surface Mount |
| 引脚数 | 3 Pin |
| 封装 | TO-263-3 |
| 针脚数 | 3 Position |
| 漏源极电阻 | 0.25 Ω |
| 极性 | N-Channel |
| 功耗 | 190 W |
| 阈值电压 | 4 V |
| 漏源极电压(Vds) | 800 V |
| 连续漏极电流(Ids) | 17A |
| 上升时间 | 28 ns |
| 正向电压(Max) | 1.6 V |
| 输入电容值(Ciss) | 2070pF @50V(Vds) |
| 额定功率(Max) | 190 W |
| 下降时间 | 50 ns |
| 工作温度(Max) | 150 ℃ |
| 工作温度(Min) | -65 ℃ |
| 耗散功率(Max) | 190W (Tc) |
| 类型 | 描述 |
|---|
| 产品生命周期 | Active |
| 包装方式 | Tape & Reel (TR) |
| 长度 | 10.75 mm |
| 宽度 | 10.4 mm |
| 高度 | 4.6 mm |
| 工作温度 | 150℃ (TJ) |
N 通道 MDmesh™，800V/1500V，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
21 页 / 0.99 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
22 页 / 1 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
21 页 / 1.02 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
10 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics（意法半导体）
STMICROELECTRONICS STB18NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics（意法半导体）
MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET™ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道250V， 0.14 I© ， 17的低栅极电荷STripFETâ ?? ¢ II功率MOSFET的D2PAK和DPAK封装 N-channel 250 V, 0.14 Ω, 17 A low gate charge STripFET⢠II Power MOSFET in D2PAK and DPAK packages
ST Microelectronics（意法半导体）
N沟道55V - 3.2mΩ - 120A - D2PAK / TO- 220的STripFET ？功率MOSFET N-channel 55V - 3.2mヘ - 120A - D2PAK/TO-220 STripFET⑩ Power MOSFET
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
ST Microelectronics（意法半导体）
器件 Datasheet 文档搜索
数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件
