STB190NF04T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:	ST Microelectronics（意法半导体）
分类:	MOS管
封装:	TO-263-3
描述:	N沟道40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET
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STB190NF04T4 技术参数、封装参数

类型	描述
安装方式	Surface Mount
额定电压(DC)	40.0 V
额定电流	120 A
封装	TO-263-3
漏源极电阻	4.30 mΩ
极性	N-Channel
功耗	310W (Tc)
漏源极电压(Vds)	40 V
漏源击穿电压	40.0 V
栅源击穿电压	±20.0 V
连续漏极电流(Ids)	120 A
输入电容值(Ciss)	5800pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)	310W (Tc)

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STB190NF04T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型	描述
产品生命周期	Not Recommended for New Designs
包装方式	Tape & Reel (TR)
工作温度	-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB190NF04T4 符合标准

STB190NF04T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

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STB190NF04 数据手册

STB190NF04T4 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK / I2PAK / TO- 220的STripFET TM III功率MOSFET N-channel 40V - 0.0039ohm - 120A - D2PAK/I2PAK/TO-220 STripFET TM III Power MOSFET

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